在业界频传NAND闪存价格迅猛下滑之际，作为市占率近34%的全球最大闪存供应商三星电子，却仍在逆势增加投资，并官宣其闪存产品将涨价10%。目前，这一涨价幅度，已为中国部分厂商接受。

1月12日，华尔街见闻获悉，三星电子在西安的一个三期NAND闪存项目，进入了苹果智能手机NAND闪存供应链。此前，三星电子已是苹果公司最大的DRAM芯片供应商。

但是，提价10%很可能并非三星电子的主要诉求。从各种迹象看，三星将于年内开启其闪存大幅降价的大幕。从逆势增资扩产，到大幅降价，个中原因，不问可知。

逆势增资：三星心路人知

受低迷的存储芯片市场影响，三星电子利润受到打击，但三星电子半导体投资扩产却没有停滞。

全球存储器市场结构怎样？

据英国市场追踪机构Omdia统计数据显示，截至2021年，三星在DRAM市场份额为42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND闪存方面，截至2022年Q2，三星电子拥有33.9%的市场份额，位列全球第一；通过收购Intel NAND Flash闪存业务，SK海力士组建了新公司Solidigm，市场份额升至19.9％，紧随三星电子之后排名第二。

值得一提的是，三星电子在NADA闪存市场获得全球第一的市场地位，源自在2006-2009年一系列NADA闪存诡谲风云中三星的逆势增资扩张。

这是一次极为成功的逆势“加仓”之后的惊人逆袭。三星电子在行业低迷期扩大投资规模，最终击败当时市场份额领先于三星电子的对手，比如德国奇梦达、日本“国家队”尔必达和东芝。

这次成功经验，充分解释了三星电子再次遇到行业低迷期，为何仍敢于逆势增资扩产的信心迷局。

2022年，半导体行业进入下行周期，存储市场占据半导体约30%的比例，故受到较大行业下行影响：包括三星电子、美光和SK海力士在内的多家存储厂商均出现亏损。

因此，行业风格保守，一众巨头也开始收缩业务。比如美光计划将2023财年投资额，从2022财年的120亿美元，下调至70亿-75亿美元；同时，还将大幅减少2024财年的资本支出；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的设备投资预算幅度，将比2022年减少超过50%。

但是三星例外，其投资风格极为激进，这与美光和SK海力士因市场低迷而收缩业务规模的做法，显得格外与众不同。

公开消息显示，三星电子已决定，在2023年提升其存储器和晶圆厂10%的产能。这些产能也有部分来自中国的三星新投资项目。

1月12日，华尔街见闻从供应链了解到，三星西安三期项目12寸（300mm）晶圆厂将于2月中旬开工。这个项目原本定于2022年12月启动，但受内外多种因素影响，故而有所延期。

三星电子西安三期项目总投资高达3000亿元人民币。目前，这个工厂的定位是三星电子NAND闪存半导体的生产基地，与前两期项目的产能合并后，将占据三星电子NAND全球总产能的40%。前两期项目已达产，每月生产12英寸晶圆量达25万张，年营收高达1000亿元人民币。

与台积电或英特尔均已做出的减产计划相比，三星电子同样属于逆势“加仓”。此举说明三星电子野心极大，既想称霸存储器市场，也想在晶圆代工领域反超台积电。

除了中国项目，三星电子将对在韩国京畿道平泽市第一工厂（P1）的NAND闪存设备做升级。

P1的NAND线预计将改造为V8（238层）NAND量产线，可加工约3万张晶圆。此前，有消息称，三星电子可能会在2023年下半年，投资已完成外装工程的平泽4号厂房（P4）一期工程新的NAND生产线。

据中国台湾市场研究公司Trend Force的统计数据，截至2022年底，三星电子NAND晶圆月产量约为64.5万张。就半导体投资而言，三星电子决定在所有领域都保持2021年的水平。

另据英国市场研究公司Omdia的数据显示，NAND市场价值约为665亿美元。鉴于此等规模的市场前景，三星或许想通过增加NAND产能，以挤压或吞并规模较小的行业企业。目前，在NAND领域，仍有6-7家企业在争夺全球范围内的市场份额。

手段：提价、扩产、降价

1月6日，这家韩国市值最高的公司对外表示，2022年10月-12月季度营业利润可能同比下降 69%，低于市场预期的38%降幅，创下2008年同季度以来的最大降幅纪录。

与2022年三季度相比，用于智能手机和其他设备的NAND闪存基准在2022年四季度期间，跌幅达到14%。

可以说，三星电子面临行业低迷和公司业绩下滑的双重压力，却仍在逆势增资扩产。这家公司表示，将继续从中长期的角度为市场复苏做准备。

由上文可知，三星对逆势投资有过成功经验。多年来，三星常常在行业不景气时期做巨额投资，以在下一个繁荣时期击败竞争对手，从而引领全球内存市场。

俗话说，手中有粮，心中才能不慌。

三星敢于逆势大举增资，底气来自其拥有的规模庞大的现金储备。截至2022年9月底，三星持有约128.8万亿韩元（约合1010亿美元）现金，约是其竞争对手SK海力士或美光的10倍。

韩国政府也很给力。韩国在2023年1月3日宣布，计划将半导体和电池等战略技术资本支出的税收减免，从8%扩大到15%，接近翻倍。

除了想靠技术实力、产能规模压制对手，复制2006-2009年的那次成功逆袭，还有个重要原因，即三星电子已成功进入苹果NAND闪存供应链。此事得益于中国本土一家NAND闪存巨头遇到的众所周知的技术限制。

这家中国公司在遭遇技术约束后，三星电子成为了苹果公司在中国的NAND存储芯片替代供应商。华尔街见闻获悉，三星电子位于西安的NAND闪存工厂将为苹果供应NAND闪存。目前，这个工厂的三期工程将于2月动工。

值得一提的是，不久前，三星电子官宣其闪存产品将提价10%，而部分中国公司已接受这一报价。

但是，据公开报道显示，三星电子可能会于2023年开启包括NAND闪存在内的大幅降价，以进一步提高在全球存储芯片市场的份额。

对NAND技术、产能和价格三者之间关系的理解，也能从另一个角度解释三星电子为何逆势增资的意图。

在NAND领域，NAND制造商做的激烈技术角逐，集中在增加垂直层数方面。SK海力士和美光都已推出200多层的NAND技术，但三星认为，“重要的不是层数，而是产能以及专注于提供具有价格竞争力的更优解决方案”。

说是这么说，但三星并没有放松NAND的技术迭代，其技术水平也极为高超。

目前，三星电子生产的第八代V-NAND高达230层；第9代V-NAND也已在研发过程中，预计2024年量产。2030年，三星将推出高达1000层的V-NAND产品。

鉴于DRAM的对于消费电子级的重要性，三星也在重兵布局这个方向。

为推进10nm范围以外的微缩，三星电子正在开发图案、材料和架构方面做持续突破。

2022年底，三星官方透露，其即将推出的DRAM解决方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星还谈到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解决方案。此外，三星计划到2030年实现亚纳米DRAM。